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光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置

光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置

更新時(shí)間:2021-05-26
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光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置,光化學(xué)反應(yīng)儀, 又稱(chēng)為光化學(xué)反應(yīng)釜,多功能光化學(xué)反應(yīng)器.主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動(dòng)體系、紫外光或模擬可見(jiàn)光照、以及反應(yīng)容器是否負(fù)載TiO2光催化劑等條件下的光化學(xué)反應(yīng)。具有提供分析反應(yīng)產(chǎn)物和自由基的樣品,測(cè)定反應(yīng)動(dòng)力學(xué)常數(shù),測(cè)定量子產(chǎn)率等功能,廣泛應(yīng)用化學(xué)合成、環(huán)境保護(hù)以及生命科學(xué)等研究領(lǐng)域。

光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置的詳細(xì)資料:

光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置

技術(shù)參數(shù):

型號(hào):CY-GHX-DC多功能控溫光化學(xué)反應(yīng)儀

(一)主體部分

1.光源功率可連續(xù)調(diào)節(jié)大小。

2.集成式光源控制器,可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用。

3.汞燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

4.氙燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

5.金鹵燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~500W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

(二)小容量反應(yīng)部分

1.石英試管規(guī)格:30ml、50ml(或定做)。

2.可同時(shí)處理8個(gè)樣品(或定做)。

3.八位磁力攪拌裝置可同步調(diào)節(jié)8個(gè)樣品的攪拌速度。

(三)大容量反應(yīng)部分

1.玻璃反應(yīng)器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等(或定做)。

2.大功率強(qiáng)力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。

(四)控溫裝置

1.冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W

2.控溫范圍:-5°C到100°C

3.冷卻水循環(huán)裝置設(shè)有腳輪和底部排液閥。

大容量光化學(xué)反應(yīng)儀產(chǎn)品配置:

配置單

數(shù)  

控制主機(jī)

1臺(tái)

反應(yīng)暗箱

1臺(tái)

光源控制器

1臺(tái)

雙層石英冷阱

1個(gè)

汞燈(1000W)

1

氙燈(1000W)

1

金鹵燈(500W)

1

攪拌裝置

1

樣品反應(yīng)瓶

1只(250ml,500ml,1000ml可選)

反應(yīng)罐

8只(30ml,50ml共8只)

 

光催化降解反應(yīng)釜CY-GHX-DC光化學(xué)反應(yīng)裝置

在操作、維護(hù)和儀器的所有階段,都必須遵守以下的基本安全措施。在儀器使用時(shí)應(yīng)按照說(shuō)明書(shū)來(lái)操作,違規(guī)使用會(huì)造成儀器的正常工作,至使儀器損壞。 
A、為了避免觸電事故,儀器的輸入電源線必須接地,本儀器使用的是三芯接地插頭,這種插頭有接地腳,如果插頭無(wú)法插入座內(nèi),則應(yīng)請(qǐng)電工安裝正確的插座,不要使儀器失去接地保護(hù)作用。 
B、注意使用電源: 
在連接交流電源之前,要確保電壓與儀器所要求的電壓一致(允許±10%的偏差),并確保電源插座的額定負(fù)載不小于儀器要求。 
C、注意使用電源線: 
本儀器通常使用隨機(jī)附帶的電源線。如果電源線破損,必須更換不許修理。更換時(shí)必須用相同類(lèi)型和規(guī)格的電源線代替。本儀器使用時(shí)電源線上不許放置任何物品。不要將電源線置于人員走動(dòng)的地方。 
D、注意儀器的安放: 
本儀器應(yīng)放在陰涼、通風(fēng)、干燥、防塵較好的位置,為了更好的散熱效果,儀器通風(fēng)處,于其它物品應(yīng)保持有效距離(N﹥30cm)。 

 

光催化凈化技術(shù)主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)能。當(dāng)能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導(dǎo)體時(shí),光激發(fā)電子躍遷到導(dǎo)帶,形成導(dǎo)帶電子(e-),同時(shí)在價(jià)帶留下空穴階(h+)。由于半導(dǎo)體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長(zhǎng),它們能夠在電場(chǎng)作用下或通過(guò)擴(kuò)散的方式運(yùn)動(dòng),與吸附在半導(dǎo)體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎┝W觾?nèi)部或表面也能直接復(fù)合,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子,能夠無(wú)選擇的氧化多種有機(jī)物并使之礦化。

由于光催化還屬于一種新興的技術(shù),有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術(shù)、納米光催化劑的高活性和高壽命技術(shù)、納米光催化劑的固載化技術(shù)和納米光催化劑反應(yīng)的設(shè)計(jì)技術(shù),這些因素的實(shí)現(xiàn)勢(shì)必會(huì)使得凈化器價(jià)格攀升,從而影響推廣。然而該技術(shù)最大的不足在于,從利用太陽(yáng)光效率的角度看,半導(dǎo)體的光吸收波長(zhǎng)范圍狹窄,主要在紫外區(qū),利用太陽(yáng)光的比例低;光生載流子的復(fù)合率很高,導(dǎo)致量子效率較低。

 


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